期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

介观压阻效应在微型传感器中的应用研究

A Design of Transducer with a Film Fixed Around Based on Resonant Tunneling Film
下载PDF
导出
摘要 对运用共振隧穿双势垒(DBRT)结构中的一种压阻效应原理——介观压阻效应,用GaAs/AlAs/InGaAs DBRT结构薄膜作为敏感元件,设计了一个周边固支平膜片结构的压力传感器.通过分析、模拟、计算和试验测试得到了它的参数,并对介观压阻灵敏度和压阻灵敏度的量级作出了比较,验证了介观压阻效应原理可以提高压力传感器的灵敏度的可行性,为制造出基于介观压阻效应的新型超敏感型传感器提供了一定的理论依据. This letter used a piezoresistive effect-meso-piezoresistive effect-in a doublebarrier resonant tunneling （DBRT） structure, took GaAs/AlAs/InGaAs DBRT film as core component, and deviced a transducer with a film fixed around. We obtain its parameter bY simulation, calculation, analysis and experiment, validate the feasibility Of the high sensitivity sensor based on meso-piezoresistive effect. It offers a new means for device micro-transducers.
作者 王伟 温廷敦 许丽萍 张庆伟
机构地区 中北大学微米纳米技术研究中心
出处 《太原师范学院学报（自然科学版）》 2008年第2期132-134,155,共4页 Journal of Taiyuan Normal University:Natural Science Edition
基金 国家自然科学基金资助项目(60776062)
关键词 传感器 共振隧穿 介观压阻效应 周边固支平膜片结构 灵敏度 transducers resonant tunneling meso-piezoresistive effect a film fixed around sensitivity
分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
  • 相关文献

参考文献5

  • 1温廷敦,张文栋.介观压阻效应[J].微纳电子技术,2003,40(7):41-43. 被引量：41
  • 2[4]Xu Liping,Wen Tingdun,Yang Xiaofeng,et al.Mesopiezoresistive effects in double-barrier resonant tunneling structures[J].Applied Physics Letters,2008(04):92
  • 3[8]Niki S,Lin C L,Chang W S C,et al.Band-Edge discontinui-ties of Strained-layer InxGa1-xAs/GaAs heterojunctions and quantum wells[J].Appl Pbys Lett,1989(55):1339
  • 4[9]Hjort K.Sacrificial etching of III-V compounds for imicromechanical devices[J].Journal of Electrochemical Society,1997(6):370-371
  • 5[10]Hsu T R,Hill M G.MEMS ＆.Microsystems:design and manufacture[M].New York:Science,2002:195

二级参考文献10

  • 1[1]WEN T D, ANASTASSAKIS E. Temperature dependence of strains and stresses in undercritical cubic superlattices and heterojunctions[J]. Physical Review B, 1996,53( 8):4741.
  • 2[2]KONTOS A G, ANASTASSAKIS E, HRYSANTHAKOPOULOS N C. Strain profiles in overcritical(001) ZnSe/GaAs heteroepitaxial layers[J]. J Applied Physics, 1999, 86(1):412.
  • 3[3]LU Y Q ,ZHU Y Y , CHEN Y F. Optical properties of an ionic-type phononic crystal[J]. Science, 1999, 284, 1822.
  • 4[4]WEN T D , XU L P, ANASTASSAKIS E. On the piezoelectric signals of multilayer systems[J].Phys Stat Sol (a), 2000, 177: 467.
  • 5[5]FUNATO M, FUJITA S, FUJITA S. Energy states in ZnSe-GaAs heterovalent quantum structures[J]. Phys Rev B,1999, 60(24): 16652.
  • 6[6]OMAE K, KAWAKAMI Y, FUJITA S. Effects of internal electric field and carrier density on transient absorption spectra in a thin GaN epilayer[J]. Phys Rev B,65,73308
  • 7[7]FAN W B, ZHAO X G. Coherent dynamics in one-dimensional multiband semiconductor superlattices driven by DCAC electric fields[J]. Physica B, 2001, 299: 147.
  • 8[8]TYC M H, SALEJDA W. Negative differential resistance in aperiodic semiconductor superlattices[J]. Physica A, 2002, 303: 493.
  • 9[9]SALEJDA W, SZYSZUK P. The Landauer conductance of generalized Fibonacci superlattices[J]. Physica A, 1998, 252: 547.
  • 10[10]ROY C L, KHAN A. Landauer resistance of thue-morse and fibonacci lattices and some related issues[J].Phys Rev B, 1994, 49(21): 14979.

共引文献40

太原师范学院学报（自然科学版）
2008年 第2期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部