红外光电探测技术在测量半导体薄膜禁带宽度上的应用

采用红外吸收光谱方法测量半导体禁带宽度E_■,由于对样品制作工艺要求较严,而不易推广。本文提出的采用红外光电探测技术通过测量半导体光电导率随照射在样品上的光波波长的变化规律来推出E_(?)的方法,放宽了对样品制作工艺的要求,测试设备也不复杂,其测得的结果(单晶硅E_(?)=1.12eV和多晶硅E_(?)=1.3～1.52eV)均与理论分析和用其他方法测得的结果相符。因此,此方法可广泛地应用于各种半导体材料参数的测量和研究。