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一种测定MCT单晶表面损伤层厚度的方法——MCT多晶化形变研究之二
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摘要
介绍在对碲镉汞单晶片进行表面损伤的研究中观察到研磨会导致单晶片的多晶化和形变织构。应用X射线与单晶和多晶体的互作用原理,测定了多晶化形交层的厚度。
作者
唐家钿
杨雄超
顾里平
朱惜辰
阚家德
袁波
莫威
机构地区
昆明物理研究所
云南大学实验中心
出处
《红外技术》
CSCD
1990年第5期36-39,共4页
Infrared Technology
关键词
碲镉汞
表面损伤
厚度
测定
MCT
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
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高占.碲镉汞晶体表面的电子衍射研究[J]激光与红外,1978(04).
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杨洁,高春晓.
金刚石/氧化锌透明异质结的研制[J]
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.化工管理,2016(26).
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.材料科学与工程,1999,17(2):55-57.
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