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一种测定MCT单晶表面损伤层厚度的方法——MCT多晶化形变研究之二

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摘要 介绍在对碲镉汞单晶片进行表面损伤的研究中观察到研磨会导致单晶片的多晶化和形变织构。应用X射线与单晶和多晶体的互作用原理,测定了多晶化形交层的厚度。
出处 《红外技术》 CSCD 1990年第5期36-39,共4页 Infrared Technology
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参考文献2

  • 1唐家钿,王家库,董先庆,杨雄超,袁波,阚家德.碲镉汞单晶片的多晶化与形变织构[J]红外技术,1987(05).
  • 2高占.碲镉汞晶体表面的电子衍射研究[J]激光与红外,1978(04).

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