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MCT单晶中的应变研究 被引量:4

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摘要 用X光衍射方法,测量了固态再结晶法生长的MCT单晶生长方向的衍射角2θ,近似计算出单晶生长方向的应变。MCT单晶的组份为x=0.214,生长方向分别为(111)(110)和(100)。初步实验的结果表明,固态再结晶法生长的MCT单晶生长方向的最大应变为10^(-4);其应变与MCT单晶的晶向没有明显的对应关系,而主要与生长工艺有关。
机构地区 昆明物理研究所
出处 《红外技术》 CSCD 1990年第6期1-5,共5页 Infrared Technology
  • 相关文献

同被引文献7

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  • 3何景福,魏天衢,李丽,陶长远,庄维莎.Te薄膜晶体[J]红外技术,1986(05).
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引证文献4

二级引证文献5

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