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HgCdTe晶体的本征载流子浓度的应用
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摘要
HgCdTe晶体的本征激发决定于组份和温度。本征载流子浓度与组份、温度的关系早已得到广泛、深入的研究。由于自由载流子来源于杂质激发与本征激发,如果把杂质的影响考虑进去,就可以由本征载流子浓度推算出在高于77K的任何温度下的载流子浓度。反过来,如果知道处于本征激发占主导地位的某一温度时(如室温)的载流子浓度。
作者
肖继荣
机构地区
中国科学院上海技术物理所究所
出处
《红外技术》
CSCD
1990年第6期5-7,共3页
Infrared Technology
关键词
HGCDTE晶体
截流子
浓度
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
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