P／P^＋硅外延
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1王向武,陆春一,赵仲镛.减小硅外延自掺杂的一种新方法[J].半导体技术,1992,8(4):57-58. 被引量：1
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2王向武,陆春一.多层硅外延中自掺杂现象研究[J].固体电子学研究与进展,1994,14(3):267-271. 被引量：6
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3王向武,陆春一.硅外延中自稀释现象的研究[J].固体电子学研究与进展,1991,11(1):55-60. 被引量：3
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4石玉龙.等离子体化学气相沉积硅外延[J].青岛化工学院学报（自然科学版）,1994,15(1):61-66. 被引量：1
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5C.Werkhoven,C.Arena M.Bauer,P.Brabant,M.Meuris,T.Valentina L.Souriau.基于硅的锗外延技术实现高性能CMOS器件[J].集成电路应用,2006,23(11):35-37.
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