台面复合钝化之一例
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1俞诚.一种典型的复合钝化结构用PECVD薄膜工艺[J].江南半导体通讯,1992,20(5):20-22.
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2张建新.Si_3N_4钝化光电二极管的辐照实验研究[J].嘉兴学院学报,2015,27(6):66-69. 被引量：1
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3盛海云,贾宝军,孙海燕,王官俊.长波光导HgCdTe探测器芯片钝化研究[J].激光与红外,1998,28(3):180-182.
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4应明炯.光伏碲镉汞表面钝化技术研究——用阳极硫化/硫化锌复合钝化碲镉汞表面[J].激光与红外,1993,23(6):33-36. 被引量：2
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5郑英兰,王颖,钟玲,吴春瑜.功率半导体器件终端SIPOS/PI复合钝化结构研究[J].辽宁大学学报（自然科学版）,2010,37(1):11-14.
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6揣荣岩,张大为,孙显龙,刘斌,李新.复合钝化多晶硅纳米膜应力分布仿真分析[J].仪表技术与传感器,2009(B11):215-217.
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7李雄军,韩福忠,李东升,李立华,胡彦博,孔金丞,朱颖峰,庄继胜,姬荣斌.中波碲镉汞/钝化层界面电学特性研究[J].红外技术,2015,37(10):868-872. 被引量：3
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8韩福忠,耿松,史琪,袁授章,杨伟声,蒋俊,汤金春.碲镉汞红外焦平面器件表面复合膜层钝化技术[J].红外技术,2015,37(10):864-867. 被引量：5
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