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步入深亚微米的互连技术 《半导体国际》互连技术在线研讨会

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摘要 半导体产业发展至今,大部分时间内AI互连技术都扮演了极为重要的角色,铝材料和SiO2一直作为制造集成电路中的微连线或配线;0.13微米以下的设计标准中,采用铝微连线制造的器件开始在可靠性方面出现问题.铜互连工艺应运而生。基于双大马士革的Cu工艺、高/低K介质材料等已成为业界热门话题,进一步改善互连性能的需求,推动今后互连技术的发展。集成电路技术的进一步发展对互连性能提出更高的要求。
出处 《集成电路应用》 2008年第7期5-5,共1页 Application of IC

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