自对准阻挡层提高互连可靠性
摘要
一种利用锗掺杂的新型PECVD自对准阻挡层，作为低成本的简单方法，可以提高铜互连对电迁移的抵抗能力。
出处
《集成电路应用》
2008年第7期33-35,共3页
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