用于3D WLP和3D SIC的穿透硅通孔技术
摘要
数家研究小组和公司已经展示了通过芯片叠层和穿透硅通孔（TSV）互连来实现复杂3D芯片的可行性。
出处
《集成电路应用》
2008年第7期45-47,共3页
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