低通态电阻MOSFET功率密度提高50%

导出

摘要英飞凌日前推出采用SuperSO8和S308（Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS 3N沟道MOSFET，在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。SuperSO8封装与标准TO（晶体管外形）封装相比，可使功率密度增大50％，特别是对于服务器开关模式电源的同步整流应用而言。

作者陆楠

出处《电子设计技术 EDN CHINA》 2008年第7期34-34,共1页 EDN CHINA

关键词 N沟道MOSFET 功率密度通态电阻封装形式开关模式电源击穿电压同步整流晶体管

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TP332 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

引文网络
相关文献

1英飞凌推出全新OptiMOS 3系列,可使工业、消费类和电信应用的功率密度提高50%[J].电子与电脑,2008,8(6):65-65.
2英飞凌推出全球最低通态电阻OptiMOS 3系列[J].家电科技,2008(13):50-50.
3英飞凌推出具全球最低通态电阻、采用SSO8无铅封装的全新OptiMOS3系列可使工业、消费类和电信应用的功率密度提高50%[J].电源世界,2008(6):17-17.
4向赞飞.英飞凌推出具最低通态电阻无铅封装MOSFET[J].电动自行车,2008(6):43-43.
5你讲我听[J].家电科技（手机维修天地）,2004(5):62-63.
6文勤.快速检索电话簿的设置方法[J].家庭电子,2003(7):53-53.
7具有极低通态电阻的N沟道MOSFET系列[J].今日电子,2008(6):104-104.
8IR推出先进的多功能SmartRectifierTM具有同步功能,有助于简化设计和降低整体系统成本[J].电子设计工程,2013,21(5):136-136.
9英飞凌宣布推出OptiMOS^TM3 75V MOSFET系列[J].半导体技术,2009,34(7):721-722.
10英飞凌宣布推出OptiMOS^TM375VMOSFET[J].电子元器件应用,2009,11(9).

电子设计技术 EDN CHINA

2008年第7期

浏览历史

内容加载中请稍等...

低通态电阻MOSFET功率密度提高50%

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史