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解M/a-Si势垒区泊松方程

Solving the Poisson's Equation in the M/a-Si Barrier Region
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摘要 本文证明:(1)对任何形式的、连续的、a-Si隙态密度分布函数,只要我们利用Riemann-Stieltjes积分中值定理,势垒区的泊松方程都可以解析求解.(2)M/a-Si势垒区泊松方程的抛物函数解,是由假定空间电荷区自由载流子耗尽带来的. In this paper we have proved:(1) For the arbitrary continuous gap state density distribution of a-Si,the Poisson's Equation in the Space charge region is always solvable analytically, if we have adopted the mean-value theorem for Riemann-Stieltjes integral, (R-S inegral).(2) The parabolie funection solution of Poisson's equation in M/a-Si barrier region comes the deplection approxition on the space charge region.
作者 颜一凡
出处 《湖南大学学报》 EI CAS CSCD 1990年第3期73-80,共8页
关键词 半导体 非晶硅 势垒区 泊松方程 Amorphous Semiconductor Space Charge Poisson's equation/amorphous silicon
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