三端微波器件专利申请态势分析

对微波器件中的主要三端微波器件(包括HBT、HEMT、MESFET)在全球范围内的相关专利申请进行了统计,着重对主要申请人、申请国和审查国的专利申请分布进行了静态分析,并使用时间序列分析法对主要申请人、申请国和审查国历年的专利申请分布状况进行动态分析,最终给出了国内相关产业发展的建议。