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红外InGaAs/InP单光子探测器的温度特性研究 被引量：3

Temperature Characteristic for InGaAs/InP Single-photon Detector at Infrared Communication Wavelengths
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摘要 分析了SAGM-APD单光子探测器暗电流产生的机理;得出工作温度和偏置电压是影响SAGMInGaAs/InP单光子探测器探测性能的重要因素。通过实验,分析了三种APD在不同温度下暗电流、光电流与偏置电压的关系曲线,得出一些结论。 The mechanism of dark current in InGaAs/InP single photon detection is analyzed to show the performance affected by operation temperature and biased voltage. characteristics measured at different temperature in three avalanche photodiode operated in Geiger mode for of InGaAs/InP avalanche photodiode that is largely Photo current-Voltage and Dark current-Voltage single photon detectors are studied and valuable conclusions are reached.
作者 李水峰 熊予莹 王晗 曾思明 廖常俊
机构地区 广东工业大学实验教学部 华南师范大学物理与电信工程学院 华南师范大学信息光电子科技学院
出处 《量子光学学报》 CSCD 北大核心 2008年第3期327-332,共6页 Journal of Quantum Optics
关键词 量子光学 单光子探测器 雪崩光电二极管 光电流 暗电流 quantum Optics . single photon detector avalanche photodiodes （APD） photocurrent dark current
分类号 O431 [机械工程—光学工程]
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共引文献3

同被引文献15

引证文献3

二级引证文献9

量子光学学报
2008年 第3期

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