宽禁带氮化物面发射半导体激光器研究获重大突破

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摘要 863计划新材料领域“蓝绿色垂直腔面发射半导体激光器”课题近日取得重大突破，在我国（除台湾地区外）首次实现了室温光泵条件下氮化物面发射激光器（VCSEL）的受激发射，所得器件重要性能指标超过了国际报道的最好水平。这标志着我国氮化物面发射激光器研究已进入世界先进行列。该成果由厦门大学、中国科学院半导体研究所和厦门三安电子有限公司组成的合作研究团队，

出处《高科技与产业化》 2008年第7期5-5,共1页 High-Technology & Commercialization

关键词面发射半导体激光器氮化物中国科学院半导体研究所宽禁带面发射激光器厦门大学新材料领域 863计划

分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学] TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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