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基于SCR的双向ESD保护器件研究 被引量:1

A Dual-Polarity ESD Protection Device Based on SCR
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摘要 可控硅整流器件(SCR)结构用于集成电路的静电放电(ESD)保护具有提高保护效率,减小芯片面积和降低寄生参数的优点。对基于SCR的双向ESD保护器件进行了研究;建立了一种ESD保护器件仿真设计平台,对该器件的结构、关键参数和性能进行了系统的仿真和优化。得到的改进器件不仅对ESD人体模型(HBM)的保护性能好,引入电路的寄生效应小,而且ESD保护的各关键性能参数也可以方便地进行调整。 An improved ESD protection device based on dual-polarity silicon controlled rectifier (DSCR) was proposed. A platform for ESD simulation and verification was built. The structure, crucial parameters and performance optimization of the proposed device were discussed based on the platform. The improved DSCR has a high ESD protection level on human body model (HBM) and low parasitic effects, with crucial parameters easily adjustabl.
作者 刘剑 陈弘毅
出处 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期485-488,492,共5页 Microelectronics
关键词 双向可控硅整流器件 静电放电保护 人体模型 Dual-polarity silicon controlled rectifier ESD protection Human body model
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参考文献5

  • 1WANG A, TSAY C-H. An on-chip ESD protection circuit with low trigger voltage in BiCMOS technology [J]. IEEEJ Sol Sta Circ, 2001, 36 (1): 40-45.
  • 2DUVVURY C, ROUNTREE R. A synthesis of ESD input protection scheme [C]//EOS/ESD Syrup. Las Vegas, USA. 1991: 88-97.
  • 3CHATTERJEE A, POLGREEN T. A low-voltage triggering SCR for on-chip ESD protection at output and input pads I-J]. IEEE Elec Dev Lett, 1991, 12 (1): 21-22.
  • 4WANG A. On-chip ESD protection for integrated circuits [M]. Boston: Kluwer Academic Publishers, 2002.
  • 5Synopsys. Synopsys TCAD Sentaurus Manuals, Version Y-2006. 06[Z]. Mount View: Synopsys. 2006.

引证文献1

二级引证文献1

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