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P型GaMnAs/AlGaAs量子阱红外探测器研究

Research of the P-type GaMnAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photoconductor
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摘要 介绍了P型量子阱中空穴子带间跃迁原理,提出了一种基于铁磁性半导体的P型GaMnAs/AlGaAs量子阱红外探测器的设计方案,分析了器件的性能,对于新型量子阱红外探测器的研制提供一种可能的参考。 In this paper ,an introduction to principle of intersubband transitions of holes in P-type quantum well, P-type GaMnAs/Al GaAs quantum well infrared photoconductor based on ferromagnetic semiconductors is proposed and performances of device are analyzed, provides a kind of possible reference for new quantum well infrared photoconductor.
作者 毕艳军 郭志友 于敏丽
机构地区 华南师范大学信息光电子科技学院光电子材料与技术研究所 河北省邢台职业技术学院电气工程系
出处 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期784-785,795,共3页 Laser & Infrared
基金 广东省科技计划项目(No.0711020500090) 广州市科技攻关重大项目(No.2005Z1-D0071)课题资助
关键词 自旋电子器件 子带间跃迁 GaMnAs/AlGaAs量子阱 红外探测器 spin electric devices intersubband transitions GaMnAs/AlGaAs quantum well infrared photoconductor
分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]
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参考文献7

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共引文献5

激光与红外
2008年 第8期

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