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博弈的光刻技术面临的难题

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摘要 两天的先进光刻技术学术报告后,在Sematech Litho Forum举行的小组讨论会上,与会的专家们针对包括极紫外光刻技术(EUV)、双重成像技术、高折射率浸没式光刻技术、纳米压印技术以及无掩膜版电子束成像技术在内的各种可能的图形解决方案的优、缺点各抒己见.然而,在这些讨论中各种技术部面临着共同的问题,即采用何种商业运作模式以回收巨额的先期研发投入、如何进行利益分配和成本控制以及如何扫除光刻技术前进道路上的障碍。
作者 Aaron Hand
出处 《集成电路应用》 2008年第8期I0004-I0004,25,共2页 Application of IC
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