锗硅选择性外延在应变技术中的应用

多年以来,沿着摩尔定律的途径,人们一直采用对金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）进行等比例微缩来增加器件速度的方法。然而在晶体管尺寸达到65nm以后，常规的微缩方法遇到了以短沟道效应为核心的一系列问题。当器件进一步微缩，随着电流密度的增大，迁移率的提升成为保持晶体管性能的关键．因为电源电压被等比例缩小以降低芯片的动态功耗。