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存储器件

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摘要 IDT推出下一代双口RAH；赛普拉斯推出nvSRAM CYI4B102和CY14B108；飞兆半导体推出SD接口电平转换器FXL2SD106；

出处《电子设计应用》 2008年第9期124-124,共1页 Electronic Design & Application World

关键词存储器件 NVSRAM 电平转换器飞兆半导体 SD接口 IDT 双口

分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构] TP334.7 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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2储云仙,曹凯.新型HVSRAM及其应用[J].电子技术（上海）,1994,21(8):32-34.
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电子设计应用

2008年第9期

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