期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
宽禁带氮化物面发射半导体激光器研究获重大突破
下载PDF
职称材料
导出
摘要
我国863计划新材料领域“蓝绿色垂直腔面发射半导体激光器”课题近日取得重大突破,在我国(除台湾地区外)首次实现了室温光泵条件下氮化物面发射激光器(VCSEL)的受激发射,所得器件重要性能指标超过了国际报道的最好水平,标志着我国氮化物面发射激光器研究已进入世界先进行列。
机构地区
中国有色金属工业协会
出处
《有色设备》
2008年第4期61-61,共1页
Nonferrous Metallurgical Equipment
关键词
面发射半导体激光器
氮化物
宽禁带
面发射激光器
新材料领域
863计划
受激发射
台湾地区
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
宽禁带氮化物面发射半导体激光器研究获重大突破[J]
.纳米科技,2008,5(3):34-34.
2
宽禁带氮化物面发射半导体激光器研究获重大突破[J]
.大众科技,2008(7):6-6.
3
宽禁带氮化物面发射半导体激光器研究[J]
.中国有色金属,2008(14):77-77.
4
宽禁带氮化物面发射半导体激光器研究获重大突破[J]
.高科技与产业化,2008(7):5-5.
5
卢利平.
我国氮化物面发射半导体激光器研究进入世界先进行列[J]
.功能材料信息,2008,0(4):56-57.
6
张瑞华.
面发射半导体激光器的研制进展[J]
.半导体情报,1991,28(1):25-36.
7
江兴.
宽禁带氮化物面发射半导体激光器研究获重大突破[J]
.半导体信息,2009(1).
8
中科院开发出百瓦级微型化高功率半导体激光模块[J]
.军民两用技术与产品,2014,0(14):35-35.
9
程文芳.
三星开发16芯片封装技术[J]
.半导体信息,2006,0(6):22-22.
10
张晓波,高鼎三.
组合式二维列阵面发射半导体激光器[J]
.中国激光,1992,19(1):16-18.
被引量:1
有色设备
2008年 第4期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部