期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

Sematech在EUV技术上实现突破实现22nm半节点分辨率

下载PDF

导出

摘要据EE Times网站报道：Sematech宣布使用极紫外（EUV）光刻技术获得了22nm的半节距分辨率。同时还成功获得了20nm以下的特征尺寸。Sematech称这些结果显示了EUV在22nm节点的应用前景。

出处《电子工业专用设备》 2008年第8期62-62,共1页 Equipment for Electronic Products Manufacturing

关键词分辨率 UV技术节点光刻技术特征尺寸极紫外 EUV

分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学] TS88 [轻工技术与工程]

引文网络
相关文献

1马琳.SEMATECH联合体的21世纪高超目标[J].电子材料（机电部）,1992(9):8-9.
2David Lammers.在(110)单晶硅上获得高性能nFET[J].集成电路应用,2008(4):24-24.
3陈裕权.Sematech研究用Ge和SiGe作硅MOSFET沟道[J].半导体信息,2006,0(5):31-31.
4David Lammers.Sematech在VLSI会议上报告最新进展[J].集成电路应用,2008(9):30-30.
5莫大康.18英寸硅片时代来临?[J].集成电路应用,2008(8):9-9.
6TSMC将与SEMATECH合作20nm及更先进工艺[J].中国集成电路,2011,20(6):14-15.
7面面俱到 SAMSUNG N140[J].个人电脑,2009,15(11):88-89.
8国际新闻[J].集成电路应用,2008,25(9):24-24.
9国际新闻[J].半导体行业,2008(6):58-59.
10Sematech召开论坛讨论下一代光刻技术设备成本将达4000万美元[J].电子工业专用设备,2008,37(5):49-49.

电子工业专用设备

2008年第8期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部