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高压LDMOS功率器件的研究 被引量：2

Research for High Voltage LDMOS Power Device
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摘要 提出了一种适用于高低压电路集成的LDMOS器件结构,采用DoubleRESURF技术和场板技术,耐压可达700伏。本文借助二维器件模拟软件MEDICI,分析了器件的参数对击穿电压和导通电阻的影响,从而实现了器件的高耐压和低导通电阻的要求。 Using Double RESURF and field-plate technology, an LDMOS device for high/low voltage IC’s is proposed .The break-down voltage can mount to 700V. Effects of device parameters on the breakdown voltage and on-resistance are analyzed by using 2D devices simulator MEDICI. Hence, the requirements of high voltage and low on-resistance is achieved.
作者 张博 吴玉广
机构地区 西安电子科技大学微电子所
出处 《微计算机信息》 北大核心 2008年第25期237-238,259,共3页 Control & Automation
关键词 高压器件 LDMOS RESURF技术 MEDICI 导通电阻 High voltage device LDMOS RESURF Technology MEDICI On-Resistance
分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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参考文献4

二级参考文献6

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引证文献2

微计算机信息
2008年 第25期

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