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氮化硅薄膜的等离子腐蚀及钝化性能研究 被引量:1

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摘要 介绍在硅CCD多路传输器研制中,热壁LPCVD氮化硅钝化膜的等离子腐蚀及钝化性能。
作者 程开富
出处 《电子工业专用设备》 1997年第4期40-43,共4页 Equipment for Electronic Products Manufacturing
  • 相关文献

参考文献1

  • 1程开富.正交试验法优选LPCVD氮化硅膜的最佳工艺条件[J]半导体光电,1988(03).

同被引文献1

引证文献1

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