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新型DRAM旨在解决主内存瓶颈问题

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摘要 在过去三年的时间里,DRAM制造商们已推出好几款新型存储器结构,力求克服常用多通道存储器性能的不足,这种不足影响主存储器和桢缓存子系统,各种不同方式的努力都围绕着存取周期和频宽这两个问题。 一个小小的单SRAM高速缓存曾非常有效地降低了DRAM存储器存取周期和频宽要求。
作者 刘思巧
出处 《世界电子元器件》 1997年第11期22-23,共2页 Global Electronics China
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