大容量DRAM发展动态

随着Gb级DRAM的问世,使存储器的发展又上了一个新的台阶。本文主要介绍国外最新报道的256Mb、1Gb和4Gb的开发研究信息。△256Mb DRAM 韩国三星电子采用0.25μm CMOS工艺制作了26800个单元的256Mb DRAM。其驱动电压为2.2V～2.4V,存取时间为40ns,该芯片采用600密耳T型引线管壳封装。