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短沟道SOI/SDB CMOS器件性能研究

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摘要利用硅栅自对准全离子注入工艺制备了ＳＯＩ／ＳＤＢＣＭＯＳ器件，讨论了该器件的短沟道效应、“Ｋｉｎｋ”效应以及ＳＯＩ硅膜厚度对ＮＭＯＳ、ＰＭＯＳ管参数的影响。

作者詹娟

机构地区东南大学微电子中心

出处《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期323-325,共3页 Microelectronics

关键词 SOI 硅片直接键合 CMOS 硅器件集成电路

分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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微电子学

1997年第5期

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