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一种高隔离度视频模拟开关 被引量:1

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摘要 介绍了Π型结构的CMOS模拟开关的电路设计。采用4μm硅栅自对准技术、全离子注入浅结工艺制造出了SB804CMOS模拟开关,在30MHz的视频信号下,其隔离度高达63dB、开关时间小于50ns。
出处 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期342-345,共4页 Microelectronics
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