摘要
把Ning-Tang测试发射极电阻的方法进行扩展,用来测试多晶发射极界面氧化层电阻,作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验,获得退火的优化工艺条件,并由此成功地研制出BVCEO≥30V,BVCBO=75V,fT=2GHz,β=180的多晶硅发射极晶体管。用扩展电阻SSM150型测多晶硅发射极晶体管的纵向杂质分布,得出多晶硅发射极晶体管的单晶发射区结深为50nm,基区结深为200nm。
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第5期350-353,共4页
Microelectronics