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100GHz带宽的光电导探测器芯片

100GHz-Bandwidth Photoconductive Detector
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摘要 本文报道了利用共面微带线间的指状交叉型光电导开关,在以蓝宝石为衬底的硅片(SOS)上构造了一种新型的光电探测器.非接触电光取样测量表明,它具有超过100GHz的-3dB带宽.在100fs、25pJ的脉冲激光照射下,产生的电脉冲峰值约为300mV,脉宽(FWHM)为3.3ps. A novel, integerable photoconductive detector chirp is reported. It has an intedigital structure and integrated into a coplanar transmission line on O ion-irradiated sillicofl on sapphire (SOS) substrate. Its response time is 3. 3ps measured by external electrooptic sampling system and the -3dB bandwidth point of its freguency response is over 100GHz.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第12期942-945,共4页 半导体学报(英文版)
基金 瞬态光学技术国家重点实验室开放基金
关键词 光电导探测器 芯片 MSM 共面微带型 Bandwidth Detectors Laser beam effects Sapphire Semiconducting silicon
  • 相关文献

参考文献3

  • 1王云才,光子学报,1994年,23卷,551页
  • 2Li K D,Appl Phys Lett,1992年,61卷,3104页
  • 3Chen Yi,Appl Phys Lett,1991年,59卷,1984页

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