STV250N55F3：250A功率MOSFET

意法半导体推出250A表面贴装的功率MOSFET晶体管。新产品STV250N55F3整合ST PowerSO-10封装和引线带楔焊键合技术，无裸晶片封装的电阻率极低。采用ST的高密度STrip FET Ⅲ制程，典型导通电阻仅为1，5mΩ。STrip-FET Ⅲ其他特性包括：开关损耗低，抗雪崩性能强。除提高散热效率外，九线源极连接配置还有助于降低电阻。在25℃时，封装的额定功率为300W。