X波段砷化镓功率单片电路的CAD

本文介绍了以栅宽1200μmGaAsFET器件为基础的W级GaAsMMICCAD的几个关键技术和设计过程，并通过研制结果来证实其设计的合理性和可行性。其设计思想对其它频段的功率单片的CAD有一定的参考价值。