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X波段砷化镓功率单片电路的CAD
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摘要
本文介绍了以栅宽1200μmGaAsFET器件为基础的W级GaAsMMICCAD的几个关键技术和设计过程,并通过研制结果来证实其设计的合理性和可行性。其设计思想对其它频段的功率单片的CAD有一定的参考价值。
作者
何循来
机构地区
军械工程学院科技开发办公室
出处
《计算机辅助设计与制造》
1997年第9期29-29,42,共2页
关键词
砷化镓
单片集成电路
CAD
分类号
TN430.2 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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