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半导体激光器材料的MBE生长 被引量:1

MBE Growth of Semiconductor Laser Materials
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摘要 本文概述了我们最新引进的英国VG公司制造的V80H型分子束外延(MBE)设备的技术特点和性能,主要介绍了我们利用这套设备所进行的半导体激光器材料的生长研究工作。 This paper summarizes the characteristics and performance of our newly imported VGV8OH MBE equipment. Semiconductor laser materials growth work with this equipment is presented here,with detailed discussions.
出处 《长春光学精密机械学院学报》 1997年第3期6-9,共4页 Journal of Changchun Institute of Optics and Fine Mechanics
关键词 分子束外延 半导体激光器 MBE 光电子器件 Molecular beam epitaxy Semiconductor lasers
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献6

  • 1团体著者,1992年
  • 2Tsang W T,Appl Phys Lett,1992年,61卷,7期,755页
  • 3徐俊英,中国激光,1990年,17卷,84页
  • 4Chen H Z,Appl Phys Lett,1987年,51卷,2094页
  • 5Tsang W T,Appl Phys Lett,1981年,39卷,134页
  • 6徐遵图,半导体学报

共引文献7

同被引文献1

引证文献1

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