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用添加纳米碳的机械合金化先驱粉可以进一步提高MgB_2的临界电流密度
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摘要
过去已有的研究表明,添加碳是改善MgB2临界场和临界电流密度的好方法。碳的来源可以是碳粉、碳纳米管,或类似于SiC,B4C的各种碳的化合物。最近的研究表明,用添加了纳米碳的先驱粉制作的铁壳MgB2单芯带在14.3T,4.2K温度下临界电流密度Jc可以达到10^4A/cm^2。所用的先驱粉是用把Mg,B和纳米碳粉机械合金化的方法制备的。
作者
刘春芳
出处
《稀有金属快报》
CSCD
2008年第9期45-45,共1页
Rare Metals Letters
关键词
临界电流密度
纳米碳粉
机械合金化
MGB2
碳纳米管
临界场
SiC
化合物
分类号
TM26 [一般工业技术—材料科学与工程]
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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稀有金属快报
2008年 第9期
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