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0．13μm CMOS超宽带低噪声放大器的设计 被引量：1

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摘要 本文应用Cadence Virtuoso软件平台设计了一个电阻并联交流反馈式共源共栅超宽带低噪声放大器,并采用中芯国际0.13μm CMOS工艺实现了样片。测试结果给出,在供电电压为1.5V,功耗为22.5mW的情况下,芯片最大增益为13.6dB,最小噪声系数为3.6dB,带内噪声系数小于6dB,输入三阶互调截点(IIP3)为-3dBm。测试结果与仿真结果非常接近。
作者 申华 吕昕 多新中 杨立吾
机构地区 北京理工大学信息科学与技术学院 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
出处 《电子设计应用》 2008年第10期66-68,72,共4页 Electronic Design & Application World
关键词 超宽带低噪声放大器 软件平台设计 噪声系数 仿真技术
分类号 TN722 [电子电信—电路与系统] TP391.9 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
  • 相关文献

参考文献4

  • 1Bevilacqua A.,Niknejad A.M.An ultrawideband CMOS low-noise amplifier for 3.1-10.6-GHz wireless receivers[].IEEE Journal of Solid State Circuits.2004
  • 2Ballweber B.M.,Gupta R,Allstot D.J.A fully integrated 0.5-5.5 GHz CMOS distributed amplifier[].IEEE Journal of Oceanic Engineering.2000
  • 3Bevilacqua,A,Sandner,C,Gerosa,A,Neviani,A."A fully integrated differential CMOS LNA for 3,5-GHz ultrawideband wireless receivers,"[].Microwave and Wireless Components LettersIEEE.2006
  • 4Chang W K,Min S K,Phan T A,et al.An ultra-wideband CMOS low noise amplifier for 3-5GHz UWB system[].IEEE Journal of Oceanic Engineering.2005

同被引文献1

引证文献1

二级引证文献1

电子设计应用
2008年 第10期

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