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Sematech在VLSI会议上报告最新进展

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摘要 Sematech研究人员正致力于III-V族和SiGe等异质结半导体的研究工作。在2008年度VLSI技术论坛上,Sematech的科学家们发表了的三篇论文,文中他们介绍了对GaAs器件的应力技术以及SiGe晶体管的高介电常数（k）绝缘材料的研究成果。

作者 David Lammers

出处《集成电路应用》 2008年第9期30-30,共1页 Application of IC

关键词 VLSI GAAS器件 SIGE 技术论坛高介电常数研究人员研究成果绝缘材料

分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN304.23 [电子电信—物理电子学]

引文网络
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集成电路应用

2008年第9期

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