期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

Intel进一步缩小浮体存储器单元面积

下载PDF

导出

摘要在Honolulu举办的2008Symposium on VLSI Technology技术论坛上,Intel Corp.的研究人员发布了新一代基于绝缘硅（SOI）通过埋层氧化层（BOX）储存电荷的浮体存储器单元（FBC）。针对一些专家提出的缩小尺寸将导致器件的荷电保持能力下降的疑虑，

作者 David Lammers

出处《集成电路应用》 2008年第9期31-31,共1页 Application of IC

关键词 INTEL 单元面积存储器浮体荷电保持能力 VLSI 技术论坛研究人员

分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学] TP332 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

引文网络
相关文献

1毕津顺,吴峻峰,李瑞贞,海潮和.绝缘体上硅动态阈值nMOSFETs特性研究(英文)[J].电子器件,2007,30(1):5-8. 被引量：1
2程莲娣.FBC钝型毫米波天线罩的研究[J].宇航材料工艺,1993,23(4):55-58. 被引量：8
3新型晶体管技术支持开发新一代高性能芯片[J].今日电子,2003(5):31-31.
4姜劲,李明,陈希信.海杂波背景下小浮体检测工程算法[J].现代雷达,2014,36(8):43-46.
5半导体与微电子技术[J].电子科技文摘,2005,0(9):29-32.
6SK电信推出在潜艇中实现手机通信的技术[J].电信快报（网络与通信）,2006(5):47-47.
7尹雪松,姜凡,刘忠立.部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究[J].半导体技术,2005,30(4):54-57.
8华虹宏力在嵌入式非易失性存储器领域保持领先[J].集成电路应用,2014(7):44-44.
9刘张李.0.13μm部分耗尽薄膜SOI MOSFETs击穿特性研究[J].固体电子学研究与进展,2016,36(6):489-493.
10进藤智则,成英.内置闪存的单片机价格与掩膜编程ROM产品相差无几[J].电子设计应用,2005(7):59-61.

集成电路应用

2008年第9期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部