集成电路中金属硅化物的发展与演变

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摘要金属硅化物在VLSI/ULSI器件技术中起着非常重要的作用,被广泛应用于源漏极和硅栅极与金属之间的接触。其中自对准硅化物（self-aligned silicide）工艺已经成为近期的超高速CMOS逻辑大规模集成电路的关键制造工艺之一。

作者方志军汤继跃许志

机构地区应用材料(中国)公司

出处《集成电路应用》 2008年第9期51-52,共2页 Application of IC

关键词大规模集成电路金属硅化物 VLSI/ULSI 演变自对准硅化物制造工艺器件技术 CMOS

参考文献2

1胡明.三网融合下的接入网技术浅谈[J].新媒体研究,2016,2(8).
2陈勇,钟玲.深亚微米MOS器件模型BSIM2及其参数提取[J].电子科技大学学报,1997,26(5):487-491. 被引量：1
3沈磊.深亚微米金属硅化技术及其在设计中的应用[J].集成电路应用,2003,20(4):76-81.
4Eun-Ha Kim,Hali Forstner,Norman Tam,Sundar Ramamurthy,Susan Felch.低温浸入和尖峰快速热处理对NiSi生成的影响[J].集成电路应用,2007,24(3):58-62.
5Marc Wittmer,宋湘云.自对准硅化物/硅结构中的杂质扩散[J].微电子学,1989,19(3):59-64.
6张春蕾,金耀辉,胡卫生.智能光网络的发展与演变[J].中兴通讯技术,2003,9(5):23-25.
7杨谟华,方朋.VLSI/ULSI可靠性的监测与模拟[J].电子科技导报,1998(12):19-23.
8许志成,谢昊.业务驱动FTTx商用中兴通讯引领光接入发展潮流[J].通讯世界,2008(4):56-57. 被引量：1
9张沈军,胡敏.VLSI／ULSI制造中的SOG材料与平坦化技术[J].电子材料（机电部）,1992(12):1-5.
10陈勇,肖兵,杨漠华.适合VLSI/ULSI的深亚微米MOS器件模型BSIM2的研究[J].微电子学,1997,27(3):176-180. 被引量：1

集成电路应用

2008年第9期

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