用金属有机物分解技术沉积的(Pb,La)(Zr(1—x)Tix)O3薄膜的结构和介电?…
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1彭补之.金属有机物脉冲化学气相沉积陶瓷薄膜的生长速率及形貌[J].材料保护,2002,35(12):68-68.
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2张喜田,肖芝燕,张伟力,高红,王玉玺,刘益春,张吉英,许武.高质量纳米ZnO薄膜的光致发光特性研究[J].物理学报,2003,52(3):740-744. 被引量:17
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3BenjaminOrtiz,曲甲旦,李怀曙.金属有机物反应装置[J].低温与特气,1988,6(1):32-33.
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4王玉国,赵清太,王克明,张沛霖,钟维烈.金属有机物分解法制备钛酸铅薄膜[J].硅酸盐学报,1991,19(5):469-472.
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5劳浦东,过毅乐,张晓峰,姚文华,徐飞,丁永庆.GaAs(100)衬底上金属有机物化学汽相淀积法生长的CdTe膜喇曼光谱研究[J].Journal of Semiconductors,1992,13(10):589-594. 被引量:1
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6赵广才,李培咸,郝跃.腐蚀时间对蓝宝石衬底上外延生长GaN质量的影响[J].发光学报,2010,31(5):624-627. 被引量:5
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7杨扬,李培咸,周小伟,贾文博,赵晓云.Mg注入非极性a面GaN退火温度的研究[J].电子科技,2013,26(1):12-15. 被引量:1
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8YANG Dechao,LIANG Hongwei,QIU Yu,LI Pengchong,LIU Yang,SHEN Rensheng,XIA Xiaochuan,YU Zhennan,CHANG Yuchun,ZHANG Yuantao,DU Guotong.Selective Growth of GaN on Slope Cone-shaped Patterned Sapphire Substrate[J].Chemical Research in Chinese Universities,2014,30(4):556-559.
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9许晟瑞,周小伟,郝跃,毛维,张进城,张忠芬,白琳,张金凤,李志明.Particular electrical quality of a-plane GaN films grown on r-plane sapphire by metal-organic chemical vapor deposition[J].Journal of Semiconductors,2009,30(11):14-16.
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10崔影超,谢自力,赵红,梅琴,李弋,刘斌,宋黎红,张荣,郑有炓.利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究[J].物理学报,2009,58(12):8506-8510.