国外发光多孔硅的研究评述
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1秦国刚.发光多孔硅研究进展[J].科技导报,1994,12(2):12-13.
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2李学萍,张振宗,王维波,刘尧,肖绪瑞.发光多孔硅的光谱及电化学研究[J].感光科学与光化学,1993,11(3):272-274.
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3李谷波,张甫龙,陈华杰,范洪雷,俞鸣人,侯晓远.发光多孔硅的表面氮钝化[J].物理学报,1996,45(7):1232-1238. 被引量：12
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4苏宇欢.发光多孔硅二极管中负阻效应[J].电子材料快报,1999(4):18-18.
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5彭爱华,谢二庆.发光多孔硅的制备条件研究[J].贵州大学学报（自然科学版）,2009,26(2):112-115.
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6范洪雷,侯晓远,李喆深,张甫龙,俞鸣人,王迅.用脉冲腐蚀制备发光多孔硅[J].Journal of Semiconductors,1995,16(2):113-117. 被引量：7
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7白新德,柳百新,兰爱东,马春来,蔡俊.发光多孔硅的制备及其电化学成膜机制研究[J].材料保护,1996,29(6):3-4.
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8高文宇,陈松乔,王建新.IP网络接纳控制研究评述[J].计算机科学,2004,31(9):6-10. 被引量：3
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9晋卫军,沈国励,俞汝勤.发光多孔硅的化学传感特征[J].分析化学,1997,25(5):604-609. 被引量：3
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10季振国,陈立登,马向阳,姚鸿年,阙端麟.发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析[J].物理学报,1995,44(1):57-63. 被引量：2
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