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铁电薄膜BIT/PLZT/BIT存储器特性的测试

Testing of Memory Characteristic of Ferroelectric Films
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摘要 讨论了铁电薄膜记忆特性的检测方法,研制了专用的测试仪器,并利用它测试了Au/BIT/PLZT/BIT/n-Si铁电薄膜的记忆性能. A method for testing memory characteristics of ferroelectric films is discussed.A special instrument based on it is developed and the memory characteristic of a sample has been got by the instrument.
机构地区 华中师范大学
出处 《中南民族学院学报(自然科学版)》 1997年第4期1-4,共4页 Journal of South-Central University for Nationalities(Natural Sciences)
基金 激光技术国家重点实验室基金
关键词 铁电薄膜 非易失性记忆 测试 记忆性能 存储器 ferroelectrics nonvolatile memory test Sun Fenglou Assoc.Prof.,Dept.of Electronic Engineering,SCCFN,Wuhan 430074
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