超薄栅介质的击穿特性

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摘要本文主要讨论超薄栅介质和隧道氧化层的各种击穿机理，以及评价参数，并结合实际探讨超薄栅介质和隧道氧化层的测试结构，测试和分析技术等有关击穿特性的论证方法，为亚微米工艺，E2PROM工艺和Flashmemory工艺的研究和开发提供一定的技术支撑。

作者黄卫杜艳

机构地区中国华晶电子集团公司中央研究所

出处《微电子技术》 1997年第5期51-56,共6页 Microelectronic Technology

关键词 VLSI E^2PROM 击穿 MOS 超薄栅介质

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微电子技术

1997年第5期

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