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反溅射再淀积现象的探讨
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摘要
本文通过对不同条件下双层金属通孔电阻的测试,验证了反溅射再淀积现象的存在,并通过对比实验,分析了影响再淀积的因素和其对电路可靠性的影响。
作者
杨文
陈海峰
严玮
毛志军
机构地区
中国华晶电子集团公司中央研究所
出处
《微电子技术》
1997年第5期57-59,共3页
Microelectronic Technology
关键词
反溅射
再淀积现象
超大规模
集成电路
分类号
TN470.592 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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