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证明功率MOSFET低泄漏的简单触发器电路
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摘要
图1中的新颖电路表示出当代典型的功率MOSFET有极低的栅极泄漏电流。你会发现,在适当干燥的环境中,这些器件可以保持自身状态数天之久。工作中,如果MOSFET Q1关断,负载(也许是一个灯或蜂鸣器)将Q1漏极拉到接近12VDC电源电压。R2将C1充至接近相同电压。
作者
Tom Bruhns
机构地区
Mukilteo WA
出处
《电子设计技术 EDN CHINA》
2008年第11期116-116,共1页
EDN CHINA
关键词
功率MOSFET
触发器
低泄漏
电路
证明
电源电压
泄漏电流
状态数
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TN783 [电子电信—电路与系统]
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电子设计技术 EDN CHINA
2008年 第11期
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