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Ta_2O_5氢离子敏感薄膜的研究 被引量:1

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摘要 一、引言随着 H^+—ISFET 的理论研究的深入,人们越来越认识到作为敏感栅的介质膜对器件的灵敏度、响应时间、线性范围、稳定性等是至关重要的。目前对 H^+敏无机薄膜的研究十分活跃。广泛开展了 SiO_2、Si_3N_4、Al_2O_3、Ta_2O_5、ZrO_2、TiO_2、IrO、PtO等许多材料的研究。松尾正之评述薄膜的 H^+选择性是 SiO_2<Si_3N_4<Al_2O_3<Ta_2O_5。不少文章从无机薄膜对 H^+的敏感机理及其应用来研究材料,得出了同样的结论,Ta_2O_5薄膜是一种优良的 H^+敏感材料。这使我们对 Ta_2O_5薄膜发生了强烈的兴趣,从而对 Ta_2O_5薄膜的制备工艺,
出处 《化学传感器》 CAS 1990年第4期31-34,41,共5页 Chemical Sensors
基金 国家基金 传感器联合开放实验室的支持
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