期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

恩智浦为非常快的数据线推出最小的静电保护器件

下载PDF

导出

摘要恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日推出世界上最小的静电保护器件，该装置在超薄无引脚封装（UTLP：UItra-Thin Leadless Package）中达到业界最低钳位电压。消费电子产品，例如电视机、笔记本电脑、机顶盒，

出处《电子与电脑》 2008年第11期69-69,共1页 Compotech

关键词保护器件静电数据线消费电子产品笔记本电脑引脚封装半导体电视机

分类号 TN13 [电子电信—物理电子学] O441.1 [理学—电磁学]

引文网络
相关文献

1恩智浦为非常快的数据线推出最小的静电保护器件[J].电子制作,2008,16(12):5-5.
2恩智浦为非常快的数据线推出最小的静电保护器件[J].数码世界（A）,2008,7(12):15-16.
3恩智浦半导体推出新的静电保护器件IP4281CZ10[J].电子质量,2008(11):38-38.
4超薄无引脚封装数据线静电保护器件[J].今日电子,2008(12):117-118.
5姜一波,曾传滨,罗家俊,韩郑生.H型栅SOIMOS作为静电保护器件的维持电压的研究(英文)[J].固体电子学研究与进展,2013,33(2):108-111.
6高凯平.确定薄膜电致发光器件阈值电压的主要因素[J].液晶与显示,1989,9(6):47-47.
7安森美半导体推出针对下一代接口的低电容、低钳位电压ESD保护器件[J].电源技术应用,2014,17(4).
8安森美半导体以获奖的超低电窖技术扩充ESD保护产品系列[J].电子元器件应用,2008,10(9):84-84.
9ESD7L5．0D／NUP4212：ESD保护器件[J].世界电子元器件,2008(8):48-48.
10崔强,韩雁,董树荣,刘俊杰,斯瑞珺.MOS器件二次击穿行为的电路级宏模块建模[J].传感技术学报,2008,21(2):361-364. 被引量：1

电子与电脑

2008年第11期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部