TEOS-O_2-BPSG PECVD膜成形技术
出处
《微电子技术》
1997年第4期45-49,共5页
Microelectronic Technology
-
1赵友洲,张萍,张礼德.光刻胶上的PECVD二氧化硅[J].微电子学与计算机,1989,6(10):4-5.
-
2李继远.PECVD SiO2 用于线性IC的最终钝化[J].山东半导体技术,1993(3):15-18.
-
3杨绪华,孙青.PECVD SiO_2薄膜应力特性的研究[J].固体电子学研究与进展,1989,9(2):186-191. 被引量：4
-
4沙石.温度和压力对远距PECVDSiO2结构的影响[J].等离子体应用技术快报,1995(3):13-14.
-
5杨爱龄,张秀淼,邵迪玲.PECVD氮化硅膜的性质与生长条件的关系[J].杭州大学学报（自然科学版）,1990,17(2):174-183. 被引量：9
-
6Sche.,PR,闫萍.PECVD氮化硅微结构与氧化硅衬底间引力的研究[J].山东半导体技术,1993(3):23-30.
-
7黄庆安,童勤义.Raman谱测量PECVD氮化硅/GaAs的应力[J].固体电子学研究与进展,1992,12(1):82-83.
-
8蒋济昌.功率管台面钝化工艺的改进——PECVD氮化硅钝化技术在功率管中的应用[J].电子产品可靠性与环境试验,1994,12(5):23-25.
-
9李相民,王存让,程军,侯洵,刘英.PECVDSi_3N_4／InP界面特性的研究[J].光子学报,1994,23(2):139-144. 被引量：1
-
10胡刚.室温下用PECVD制备单氢键为主的a—Si：H薄膜[J].等离子体应用技术快报,1997(9):7-8.
;
