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中芯国际开发出0.11微米CIS工艺技术

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摘要 中芯国际近日宣布成功开发出0.11微米CMOS图像传感器(CIS)工艺技术,在此工艺下生产的CIS器件,其分辨率、暗光噪声和相对照度都将得到增强。
出处 《世界电子元器件》 2008年第11期11-11,共1页 Global Electronics China
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