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SiE726DF:30V单片功率MOSFET/肖特基二极管
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摘要
Vishay推出采用具有顶底散热通路封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管—SkyFET SiE726DF,该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有双面冷却功能的Polar-PAK封装,可提升高电流、高频运用的效率。
出处
《世界电子元器件》
2008年第11期50-50,共1页
Global Electronics China
关键词
功率MOSFET
肖特基二极管
单片
冷却功能
高电流
封装
用具
器件
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
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世界电子元器件
2008年 第11期
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