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SiE726DF:30V单片功率MOSFET/肖特基二极管

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摘要 Vishay推出采用具有顶底散热通路封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管—SkyFET SiE726DF,该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有双面冷却功能的Polar-PAK封装,可提升高电流、高频运用的效率。
出处 《世界电子元器件》 2008年第11期50-50,共1页 Global Electronics China
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