Ⅱ-Ⅵ族化合物研究现状

第8届国际Ⅱ-Ⅵ族化合物会议于1997年8月25日至29日在法国Grenoble举行。参加会议的有来自26个国家的415名代表。会议收到论文摘要501篇,录用311篇。被录用的部分论文将在国际《晶体生长杂志》(Journal of Crystal Growth)的专集上发表。会议交流了Ⅱ-Ⅵ化合物(主要为半导体)材料、物理和器件研究领域进展情况,内容涉及半导体蓝绿激光器件,Be-基化合物及其异质结构,激子及其复合体的光学性质,纳米结构(即量子点)和微腔(Microcavity)的光学性质,表面和界面,窄禁带半导体,稀磁半导体,红外和γ射线探测器,掺杂,材料的生长及表征等。